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单晶组件制造流程

单晶电池组件的制造始于单晶炉,在单晶炉中将“籽晶”放于旋转轴上让硅晶体围绕其缓慢生长,经过缓慢的生长过程,一根根内部晶粒有序、排列方向一致的“单晶棒”就出炉了。

单晶炉的生长特征使得每一根单晶棒都是圆的,此时如果直接切片生产圆形的单晶片则不利于电池组件的空间利用,所以单晶电池生产过程中还必须要有一个切方的过程。

切方后的单晶棒就要放入切片机台切成一片片厚度为150um~190um单晶硅片,这些年伴随着金刚线切割技术日益成熟,单晶硅领域已经完全普及金刚线切割的新技术。金刚线是一根根细如发丝(80um左右)又韧度、锐度极高的金刚线。应用这项技术以后,一根长度为650nm的单晶棒仅仅需要2小时就会被切割成两千多张单晶片。

硅片仅仅是基础,需要经过处理以后才会具有导电、发电的特性;在制作电池片过程中需要制绒工艺使得表面凹凸不平,从而有利于光子的捕获;为了获得最良好的导电性能,电池片往往采用银浆导电。电池片上的白亮色就是镀上去的银浆用于导电。

多晶组件制造流程

多晶的制造流程就相对“粗放”一些,在多晶炉中直接融化多晶硅制作成“多晶硅锭”,由于是直接铸锭而非缓慢生长,硅锭的内部晶粒相对杂乱无章一些(正是这一原因导致多晶组件的转化效率相对较低)。同时也正是因为这样的制造流程,多晶硅锭在铸造的过程中就直接铸造成为“方形硅锭”而无需切方流程,制作出来的硅片也是完正方形(单晶硅片的四角则为圆弧)。

多晶组件和单晶组件的核心区别就在于铸锭的流程不同,单晶是通过单晶炉缓慢有序生长,而多晶则是通过直接融化多晶硅快速成锭的方式。他们在切片以及制作组件等环节区别不大。

了解了上述流程,区分单晶组件和多晶组件就十分容易。单晶硅片由于四个角均为弧形,所以封装成为组件之后单晶组件会有留白,会有大约3%的封装损失。而多晶硅片为完正方形,不存在这方面的封装损失,这使得多晶组件一定程度上弥补了效率。

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